BL24C256A

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BL24C256AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,256k,256产品手册BL24C256A_V1.98_en.pdf产品技术资料帮助查看全部>优势特点工作电压:1.7~5.5V标准IIC接口通信协议硬件写保护内部上电复位最高1M工作频率超低功耗设计,静态功耗小于1μA额外ID存储器,提供芯片ID和产品追溯产品简介BL2…

BL24C16F

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BL24C16FIIC, I2C,EEPROM,存储器,24,16k,16产品手册BL24C16F_V1.00_en.pdf产品技术资料帮助查看全部>优势特点工作电压:1.7~5.5V标准IIC接口通信协议硬件写保护内部上电复位最高1M工作频率超低功耗设计,静态功耗小于1μA产品简介BL24C16F提供16384比特串行电可擦写存储器,…

BL24C16A

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BL24C16AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,16k,16产品手册BL24C02A04A08A16A_V1.95_en.pdf产品技术资料帮助查看全部>优势特点工作电压:1.7~5.5V标准IIC接口通信协议硬件写保护内部上电复位最高1M工作频率超低功耗设计,静态功耗小于1μA产品简介BL24C16A提供16384比特串行电可擦写…

BL24C128A

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BL24C128AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,128k,128产品手册BL24C128A_V1.98_en.pdf产品技术资料帮助查看全部>优势特点工作电压:1.7~5.5V标准IIC接口通信协议硬件写保护内部上电复位最高1M工作频率超低功耗设计,静态功耗小于1μA额外ID存储器,提供芯片ID和产品追溯产品简介BL2…

BL24C08F

BL24C08F

BL24C08FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,8k,08产品手册BL24C08F_V1.04_en.pdf产品技术资料帮助查看全部>优势特点工作电压:1.7~5.5V标准IIC接口通信协议硬件写保护内部上电复位最高1M工作频率超低功耗设计,静态功耗小于1μA产品简介BL24C08F提供8192比特串行电可擦写存储器,组…

BL24C08A

BL24C08A

BL24C08AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,8k,08产品手册BL24C02A04A08A16A_V1.95_en.pdf产品技术资料帮助查看全部>优势特点工作电压:1.7~5.5V标准IIC接口通信协议硬件写保护内部上电复位最高1M工作频率超低功耗设计,静态功耗小于1μA产品简介BL24C08A提供8192比特串行电可擦写存…

GD32F450

GD32F450

详细信息: GD32F450片上集成了丰富的创新外设资源。2个支持三相PWM互补输出和霍尔采集接口的16位高级定时器可用于矢量控制,还拥有多达8个16位通用定时器、2个32位通用定时器、2个16位基本定时器和2个八通道DMA控制器。 外设接口资源包括8个USART、6个SPI、3个快…

GD32F205

GD32F205

详细信息:GD32F205xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达120MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器,可支持16个内部中断和43个外部中断,每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达3072KB SRAM最大可达256KB 2KB在系统编程引导程序空间低功…

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