详细信息：GD32F101xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达56MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，支持16个中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达3072KB SRAM最大可达80KB 2KB在系统编程引导程序空间低功耗管理 支持多种低功耗工…
详细信息：GD32F103xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达108MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，支持16个中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达3072KB SRAM最大可达96KB 2KB在系统编程引导程序空间低功耗管理 支持多种低功耗…
详细信息：GD32F105xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达108MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，可支持16个内部中断和43个外部中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达1024KB SRAM对大可达96KB 2KB在系统编程引导程序空间低功耗…
详细信息：GD32F107xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达108MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，可支持16个内部中断和43个外部中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达1024KB SRAM最大可达96KB 2KB在系统编程引导程序空间低功耗…
详细信息：GD32F130xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达48MHz 闪存存储器读写零等待 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，可支持16个内部中断和60个外部中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存程序空间可以从16KB到64KB SRAM空间可从4KB到…
详细信息：GD32F207xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达120MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，可支持16个内部中断和43个外部中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达3072KB SRAM最大可达256KB 2KB在系统编程引导程序空间低功…
详细信息：GD32F190xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达72MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，支持16个中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达64KB SRAM最大可达8KB 2KB在系统编程引导程序空间低功耗管理 支持多种低功耗工作…
详细信息：GD32F150xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达72MHz 闪存读写零等待 单指令周期乘法器和硬件除法器嵌套式矢量型中断控制器，可支持16个内部中断和60个外部中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存程序空间可以从16KB到64KB SRAM空间可从4KB到8KB，带…
详细信息：GD32F170xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达48MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，支持16个中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达64KB SRAM最大可达8KB 2KB在系统编程引导程序空间低功耗管理 支持多种低功耗工作…
详细信息： GD32F450片上集成了丰富的创新外设资源。2个支持三相PWM互补输出和霍尔采集接口的16位高级定时器可用于矢量控制，还拥有多达8个16位通用定时器、2个32位通用定时器、2个16位基本定时器和2个八通道DMA控制器。 外设接口资源包括8个USART、6个SPI、3个快…
详细信息：GD32F205xx主要性能ARM® CortexTM-M3内核 主频可达120MHz 单指令周期乘法器和硬件除法器 嵌套式矢量型中断控制器，可支持16个内部中断和43个外部中断，每个中断可设16个优先级闪存空间 闪存容量可达3072KB SRAM最大可达256KB 2KB在系统编程引导程序空间低功…
